ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS46R16160F-5BLA1

KEY Part #: K937490

IS46R16160F-5BLA1 Цены (доллары США) [17061шт сток]

  • 1 pcs$3.02349
  • 190 pcs$3.00845

номер части:
IS46R16160F-5BLA1
производитель:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Подробное описание:
IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA. DRAM Automotive (-40 to +85C), 256M, 2.5V, DDR1, 64Mx8, 200MHz, 60 ball FBGA RoHS
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Linear - Усилители - Инструментарий, OP Amp, Буфер, Embedded - система на чипе (SoC), PMIC - Регуляторы напряжения - специального назнач, Логика - Защелки, Логика - Переводчики, Шифтеры, PMIC - текущее регулирование / управление, Clock / Timing - Тактовые буферы, драйверы and Логика - Ворота и Инверторы ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46R16160F-5BLA1 electronic components. IS46R16160F-5BLA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IS46R16160F-5BLA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IS46R16160F-5BLA1 Атрибуты продукта

номер части : IS46R16160F-5BLA1
производитель : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Описание : IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип памяти : Volatile
Формат памяти : DRAM
Технология : SDRAM - DDR
Размер памяти : 256Mb (16M x 16)
Тактовая частота : 200MHz
Время цикла записи - слово, страница : 15ns
Время доступа : 700ps
Интерфейс памяти : Parallel
Напряжение - Поставка : 2.3V ~ 2.7V
Рабочая Температура : -40°C ~ 85°C (TA)
Тип монтажа : Surface Mount
Пакет / Дело : 60-TFBGA
Комплект поставки устройства : 60-TFBGA (13x8)

Последние новости

Вы также можете быть заинтересованы в
  • MB85RS2MTAPH-G-JNE2

    Fujitsu Electronics America, Inc.

    IC FRAM 2M SPI 40MHZ 8DIP.

  • AT28BV256-20SU-T

    Microchip Technology

    IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 200NS, SOIC, IND TEMP, GREEN

  • AT28C256-15SU-T

    Microchip Technology

    IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 150NS, SOIC, IND TEMP, GREEN

  • 71V25761S183PFGI8

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 4Mb PBSRAM 128K x 36 w/2.5V I/O Pipeline

  • EDB5432BEBH-1DAUT-F-D

    Micron Technology Inc.

    IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA.

  • TH58BYG2S3HBAI6

    Toshiba Memory America, Inc.

    IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA. NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)