Vishay Semiconductor Diodes Division - RMPG06D-E3/100

KEY Part #: K6438619

RMPG06D-E3/100 Цены (доллары США) [738131шт сток]

  • 1 pcs$0.05099
  • 10,000 pcs$0.05073

номер части:
RMPG06D-E3/100
производитель:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Подробное описание:
DIODE GPP 1A 200V 150NS MPG06. Rectifiers 200 Volt 1.0A 150ns 40 Amp IFSM
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Тиристоры - СКВ, Транзисторы - IGBT - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Тиристоры - СКВ - Модули, Диоды - стабилитроны - одинарные and Транзисторы - Программируемый однопереход ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division RMPG06D-E3/100 electronic components. RMPG06D-E3/100 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RMPG06D-E3/100, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RMPG06D-E3/100 Атрибуты продукта

номер части : RMPG06D-E3/100
производитель : Vishay Semiconductor Diodes Division
Описание : DIODE GPP 1A 200V 150NS MPG06
Серии : Automotive, AEC-Q101, Superectifier®
Состояние детали : Active
Диодный Тип : Standard
Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) : 200V
Текущий - Средний выпрямленный (Io) : 1A
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если : 1.3V @ 1A
скорость : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Обратное время восстановления (trr) : 150ns
Ток - обратная утечка @ Vr : 5µA @ 200V
Емкость @ Vr, F : 6.6pF @ 4V, 1MHz
Тип монтажа : Through Hole
Пакет / Дело : MPG06, Axial
Комплект поставки устройства : MPG06
Рабочая температура - соединение : -55°C ~ 150°C

Вы также можете быть заинтересованы в
  • BAV21 A0G

    Taiwan Semiconductor Corporation

    DIODE GEN PURP 250V 200MA DO35. Diodes - General Purpose, Power, Switching DO-35, -V 0.2A Swtch Diode/Array

  • BAV20 A0G

    Taiwan Semiconductor Corporation

    DIODE GEN PURP 150V 200MA DO35. Diodes - General Purpose, Power, Switching DO-35, -V 0.2A Swtch Diode/Array

  • BAV19 A0G

    Taiwan Semiconductor Corporation

    DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35. Diodes - General Purpose, Power, Switching DO-35, -V 0.2A Swtch Diode/Array

  • DST5100S

    Littelfuse Inc.

    DIODE SCHOTTKY 100V 5A TO277B. Schottky Diodes & Rectifiers 5A 100V TO-277B

  • DST560S

    Littelfuse Inc.

    DIODE SCHOTTKY 60V 5A TO277B. Schottky Diodes & Rectifiers 5A 60V TO-277B

  • DST560S-A

    Littelfuse Inc.

    DIODE SCHOTTKY 60V 5A TO277B. Schottky Diodes & Rectifiers 5A 60V TO-277B