STMicroelectronics - STGD4M65DF2

KEY Part #: K6423443

STGD4M65DF2 Цены (доллары США) [220933шт сток]

  • 1 pcs$0.16742
  • 2,500 pcs$0.14825
  • 5,000 pcs$0.14119

номер части:
STGD4M65DF2
производитель:
STMicroelectronics
Подробное описание:
TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M S.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - IGBT - Модули, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Тиристоры - ТРИАКС, Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Тиристоры - СКВ - Модули, Диоды - РФ and Тиристоры - СКВ ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in STMicroelectronics STGD4M65DF2 electronic components. STGD4M65DF2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STGD4M65DF2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STGD4M65DF2 Атрибуты продукта

номер части : STGD4M65DF2
производитель : STMicroelectronics
Описание : TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M S
Серии : M
Состояние детали : Active
Тип IGBT : Trench Field Stop
Напряжение - пробой коллектора эмиттера (макс.) : 650V
Ток - Коллектор (Ic) (Макс) : 8A
Ток - Коллектор Импульсный (Icm) : 16A
Vce (вкл) (Макс) @ Vge, Ic : 2.1V @ 15V, 4A
Мощность - Макс : 68W
Энергия переключения : 40µJ (on), 136µJ (off)
Тип ввода : Standard
Gate Charge : 15.2nC
Td (вкл / выкл) при 25 ° C : 12ns/86ns
Условия испытаний : 400V, 4A, 47 Ohm, 15V
Обратное время восстановления (trr) : 133ns
Рабочая Температура : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Пакет / Дело : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Комплект поставки устройства : DPAK