Toshiba Memory America, Inc. - THGBMNG5D1LBAIT

KEY Part #: K936892

THGBMNG5D1LBAIT Цены (доллары США) [15336шт сток]

  • 1 pcs$2.98795

номер части:
THGBMNG5D1LBAIT
производитель:
Toshiba Memory America, Inc.
Подробное описание:
IC FLASH 32G MMC 52MHZ 153WFBGA.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: PMIC - Регуляторы напряжения - Линейный + Переключ, PMIC - Управление питанием - Специализированный, PMIC - Супервайзеры, объем памяти, Интерфейс - аналоговые переключатели - специальног, PMIC - Освещение, Балласт Контроллеры, Clock / Timing - Программируемые таймеры и генерат and Интерфейс - Телеком ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Toshiba Memory America, Inc. THGBMNG5D1LBAIT electronic components. THGBMNG5D1LBAIT can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for THGBMNG5D1LBAIT, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

THGBMNG5D1LBAIT Атрибуты продукта

номер части : THGBMNG5D1LBAIT
производитель : Toshiba Memory America, Inc.
Описание : IC FLASH 32G MMC 52MHZ 153WFBGA
Серии : e•MMC™
Состояние детали : Active
Тип памяти : Non-Volatile
Формат памяти : FLASH
Технология : FLASH - NAND
Размер памяти : 32Gb (4G x 8)
Тактовая частота : 52MHz
Время цикла записи - слово, страница : -
Время доступа : -
Интерфейс памяти : eMMC
Напряжение - Поставка : 2.7V ~ 3.6V
Рабочая Температура : -25°C ~ 85°C (TA)
Тип монтажа : Surface Mount
Пакет / Дело : 153-WFBGA
Комплект поставки устройства : 153-WFBGA (11x10)

Вы также можете быть заинтересованы в
  • 71V30S55TFG8

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 8K PARALLEL 64TQFP. SRAM 1Kx8 ASYNCHRONOUS 3.3V DUAL-PORT RAM

  • AT28C256E-15SU

    Microchip Technology

    IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 256K HI-ENDURANCE SDP- 150NS IND TEMP

  • 71V25761S183PFGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 128Kx36 SYNC 3.3V PIPELINED BURST SRAM

  • W29N04GZBIBA

    Winbond Electronics

    IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA. NAND Flash 4G-bit NAND flash, 1.8V, 4-bit ECC, 1.8V, x8

  • W29N04GWBIBA

    Winbond Electronics

    IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA. NAND Flash 4G-bit NAND flash, 1.8V, 4-bit ECC, 1.8V, x16

  • EDB1332BDBH-1DAAT-F-D

    Micron Technology Inc.

    IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA. DRAM LPDDR2 1G 32MX32 FBGA