ON Semiconductor - 1N4448

KEY Part #: K6455756

1N4448 Цены (доллары США) [935213шт сток]

  • 1 pcs$0.03955
  • 10 pcs$0.03441
  • 100 pcs$0.01871
  • 500 pcs$0.01151
  • 1,000 pcs$0.00785

номер части:
1N4448
производитель:
ON Semiconductor
Подробное описание:
DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35. Diodes - General Purpose, Power, Switching Hi Conductance Fast
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - IGBTs - Массивы, Тиристоры - DIAC, SIDAC, Транзисторы - IGBT - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Тиристоры - СКВ - Модули, Диоды - РФ, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы and Модули питания драйверов ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in ON Semiconductor 1N4448 electronic components. 1N4448 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N4448, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

1N4448 Атрибуты продукта

номер части : 1N4448
производитель : ON Semiconductor
Описание : DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35
Серии : -
Состояние детали : Active
Диодный Тип : Standard
Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) : 100V
Текущий - Средний выпрямленный (Io) : 200mA
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если : 1V @ 100mA
скорость : Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Обратное время восстановления (trr) : 4ns
Ток - обратная утечка @ Vr : 5µA @ 75V
Емкость @ Vr, F : 2pF @ 0V, 1MHz
Тип монтажа : Through Hole
Пакет / Дело : DO-204AH, DO-35, Axial
Комплект поставки устройства : DO-35
Рабочая температура - соединение : -65°C ~ 175°C

Вы также можете быть заинтересованы в
  • BAS16-TP

    Micro Commercial Co

    DIODE GEN PURP 75V 300MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 300mA 100V

  • BAT54E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT23-3.

  • BAS16E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching AF DIODE 85V 0.25A

  • DB3X317K0L

    Panasonic Electronic Components

    DIODE SCHOTTKY 30V 1A MINI3.

  • CMDSH-4E TR

    Central Semiconductor Corp

    DIODE SCHOTTKY 40V 200MA SOD323. Schottky Diodes & Rectifiers Enh Spec Schottky 40Vrrm 200mA 250mW

  • CMDD6001 TR

    Central Semiconductor Corp

    DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD323. Diodes - General Purpose, Power, Switching Ultra Low Leakage 71Vr 100Vrrm 250mA