IXYS - IXXX200N65B4

KEY Part #: K6422831

IXXX200N65B4 Цены (доллары США) [5041шт сток]

  • 1 pcs$9.00192
  • 10 pcs$7.78541
  • 25 pcs$7.20157
  • 100 pcs$6.61760
  • 250 pcs$6.03369

номер части:
IXXX200N65B4
производитель:
IXYS
Подробное описание:
IGBT 650V 370A 1150W PLUS247.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - IGBT - Single, Диоды - РФ, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Транзисторы - IGBT - Модули, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Транзисторы - JFETs, Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF and Транзисторы - IGBTs - Массивы ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in IXYS IXXX200N65B4 electronic components. IXXX200N65B4 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXXX200N65B4, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXXX200N65B4 Атрибуты продукта

номер части : IXXX200N65B4
производитель : IXYS
Описание : IGBT 650V 370A 1150W PLUS247
Серии : GenX4™, XPT™
Состояние детали : Active
Тип IGBT : PT
Напряжение - пробой коллектора эмиттера (макс.) : 650V
Ток - Коллектор (Ic) (Макс) : 370A
Ток - Коллектор Импульсный (Icm) : 1000A
Vce (вкл) (Макс) @ Vge, Ic : 1.7V @ 15V, 160A
Мощность - Макс : 1150W
Энергия переключения : 4.4mJ (on), 2.2mJ (off)
Тип ввода : Standard
Gate Charge : 553nC
Td (вкл / выкл) при 25 ° C : 62ns/245ns
Условия испытаний : 400V, 100A, 1 Ohm, 15V
Обратное время восстановления (trr) : -
Рабочая Температура : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Пакет / Дело : TO-247-3
Комплект поставки устройства : PLUS247™-3

Вы также можете быть заинтересованы в