ON Semiconductor - FDC697P_F077

KEY Part #: K6411631

[13724шт сток]


    номер части:
    FDC697P_F077
    производитель:
    ON Semiconductor
    Подробное описание:
    MOSFET P-CH 20V 8A SSOT-6.
    Стандартное время изготовления производителя:
    В наличии
    Срок годности:
    Один год
    Чип от:
    Гонконг
    RoHS:
    Способ оплаты:
    Способ отгрузки:
    Семейные Категории:
    KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Модули питания драйверов, Транзисторы - IGBTs - Массивы, Тиристоры - СКВ - Модули, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Диоды - РФ, Тиристоры - ТРИАКС and Транзисторы - IGBT - Модули ...
    Конкурентное преимущество:
    We specialize in ON Semiconductor FDC697P_F077 electronic components. FDC697P_F077 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDC697P_F077, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    FDC697P_F077 Атрибуты продукта

    номер части : FDC697P_F077
    производитель : ON Semiconductor
    Описание : MOSFET P-CH 20V 8A SSOT-6
    Серии : PowerTrench®
    Состояние детали : Obsolete
    Тип FET : P-Channel
    Технология : MOSFET (Metal Oxide)
    Слив к источнику напряжения (Vdss) : 20V
    Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 8A (Ta)
    Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 1.8V, 4.5V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 20 mOhm @ 8A, 4.5V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA
    Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 55nC @ 4.5V
    Vgs (Макс) : ±8V
    Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 3524pF @ 10V
    Функция FET : -
    Рассеиваемая Мощность (Макс) : 2W (Ta)
    Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Тип монтажа : Surface Mount
    Комплект поставки устройства : SuperSOT™-6 FLMP
    Пакет / Дело : 6-SSOT Flat-lead, SuperSOT™-6 FLMP

    Вы также можете быть заинтересованы в