Diodes Incorporated - BSS123WQ-7-F

KEY Part #: K6420201

BSS123WQ-7-F Цены (доллары США) [1370277шт сток]

  • 1 pcs$0.02699
  • 3,000 pcs$0.02502

номер части:
BSS123WQ-7-F
производитель:
Diodes Incorporated
Подробное описание:
MOSFET N-CH 100V 0.17A SOT323.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Транзисторы - Программируемый однопереход, Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Транзисторы - IGBTs - Массивы, Диоды - мостовые выпрямители, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - JFETs and Модули питания драйверов ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Diodes Incorporated BSS123WQ-7-F electronic components. BSS123WQ-7-F can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSS123WQ-7-F, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSS123WQ-7-F Атрибуты продукта

номер части : BSS123WQ-7-F
производитель : Diodes Incorporated
Описание : MOSFET N-CH 100V 0.17A SOT323
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 100V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 170mA (Ta)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 6 Ohm @ 170mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : -
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 60pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 200mW (Ta)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : SOT-323
Пакет / Дело : SC-70, SOT-323

Вы также можете быть заинтересованы в