ON Semiconductor - FDS86540

KEY Part #: K6394101

FDS86540 Цены (доллары США) [99963шт сток]

  • 1 pcs$0.39311
  • 2,500 pcs$0.39115

номер части:
FDS86540
производитель:
ON Semiconductor
Подробное описание:
MOSFET N CH 60V 18A 8-SO.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Диоды - мостовые выпрямители, Диоды - РФ, Диоды - Выпрямители - Одиночные, Диоды - Выпрямители - Массивы, Тиристоры - ТРИАКС and Транзисторы - IGBT - Модули ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in ON Semiconductor FDS86540 electronic components. FDS86540 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDS86540, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDS86540 Атрибуты продукта

номер части : FDS86540
производитель : ON Semiconductor
Описание : MOSFET N CH 60V 18A 8-SO
Серии : PowerTrench®
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 60V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 18A (Ta)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 8V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.5 mOhm @ 18A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 90nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 6410pF @ 30V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : 8-SOIC
Пакет / Дело : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Вы также можете быть заинтересованы в
  • TP0606N3-G-P003

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 60V 320MA TO92-3.

  • TP0606N3-G-P002

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 60V 320MA TO92-3.

  • TN5325N3-G-P002

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 250V 0.215A TO92-3.

  • ZVP4424ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET P-CH 240V 0.2A TO92-3.

  • ZVN4206ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 0.6A TO92-3.

  • ZVP0545ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET P-CH 450V 0.045A TO92-3.