производитель :
Toshiba Semiconductor and Storage
Описание :
PB-F ESC VARICAP DIODE HF IR
Состояние детали :
Active
Емкость @ Vr, F :
6.5pF @ 10V, 1MHz
Коэффициент емкости :
2.5
Условие коэффициента емкости :
C2/C10
Напряжение - Пик Обратный (Макс) :
15V
Рабочая Температура :
125°C (TJ)
Тип монтажа :
Surface Mount
Пакет / Дело :
SC-79, SOD-523
Комплект поставки устройства :
ESC