Vishay Semiconductor Diodes Division - 1N4948GP-E3/54

KEY Part #: K6458272

1N4948GP-E3/54 Цены (доллары США) [1024443шт сток]

  • 1 pcs$0.03611
  • 5,500 pcs$0.03339
  • 11,000 pcs$0.03045
  • 27,500 pcs$0.02848
  • 55,000 pcs$0.02619

номер части:
1N4948GP-E3/54
производитель:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Подробное описание:
DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AL. Rectifiers 1.0 Amp 1000 Volt
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - IGBT - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Диоды - мостовые выпрямители, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы and Транзисторы - Программируемый однопереход ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division 1N4948GP-E3/54 electronic components. 1N4948GP-E3/54 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N4948GP-E3/54, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

1N4948GP-E3/54 Атрибуты продукта

номер части : 1N4948GP-E3/54
производитель : Vishay Semiconductor Diodes Division
Описание : DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AL
Серии : SUPERECTIFIER®
Состояние детали : Active
Диодный Тип : Standard
Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) : 1000V
Текущий - Средний выпрямленный (Io) : 1A
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если : 1.3V @ 1A
скорость : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Обратное время восстановления (trr) : 500ns
Ток - обратная утечка @ Vr : 1µA @ 1000V
Емкость @ Vr, F : 15pF @ 4V, 1MHz
Тип монтажа : Through Hole
Пакет / Дело : DO-204AL, DO-41, Axial
Комплект поставки устройства : DO-204AL (DO-41)
Рабочая температура - соединение : -65°C ~ 175°C

Вы также можете быть заинтересованы в
  • 1SS250(TE85L,F)

    Toshiba Semiconductor and Storage

    DIODE GEN PURP 200V 100MA SC59. Diodes - General Purpose, Power, Switching 0.1A 200V Switching Diode S-Mini High

  • SE20AFB-M3/6A

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 1.3A DO221AC. Rectifiers 2 Amp 100 Volts ESD PROTECTION

  • SE20AFD-M3/6B

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 1.3A DO221AC. Rectifiers 2 Amp 200 volts ESD PROTECTION 13in

  • SE20AFB-M3/6B

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 1.3A DO221AC. Rectifiers 2 Amp 100 volts ESD PROTECTION 13in

  • SE20AFG-M3/6B

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 1.3A DO221AC. Rectifiers 2 Amp 400 volts ESD PROTECTION 13in

  • U1D-E3/5AT

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC. Rectifiers 1.0 Amp 200 Volt 30 Amp IFSM