STMicroelectronics - STI40N65M2

KEY Part #: K6399423

STI40N65M2 Цены (доллары США) [18408шт сток]

  • 1 pcs$2.23876
  • 10 pcs$1.99990
  • 100 pcs$1.63976
  • 500 pcs$1.32779
  • 1,000 pcs$1.06239

номер части:
STI40N65M2
производитель:
STMicroelectronics
Подробное описание:
MOSFET N-CH 650V 32A I2PAK.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Диоды - РФ, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Транзисторы специального назначения, Диоды - мостовые выпрямители, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Тиристоры - СКВ - Модули and Тиристоры - ТРИАКС ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in STMicroelectronics STI40N65M2 electronic components. STI40N65M2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STI40N65M2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STI40N65M2 Атрибуты продукта

номер части : STI40N65M2
производитель : STMicroelectronics
Описание : MOSFET N-CH 650V 32A I2PAK
Серии : MDmesh™ M2
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 650V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 32A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 99 mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 56.5nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±25V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 2355pF @ 100V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 250W (Tc)
Рабочая Температура : 150°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Комплект поставки устройства : I2PAK
Пакет / Дело : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Вы также можете быть заинтересованы в
  • TP2535N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 350V 0.086A TO92-3.

  • VP0106N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 60V 0.25A TO92-3.

  • VP0550N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 500V 0.054A TO92-3.

  • VN2210N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 100V 1.2A TO92-3.

  • TN0110N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 100V 350MA TO92-3.

  • ZVP0545A

    Diodes Incorporated

    MOSFET P-CH 450V 0.045A TO92-3.