ON Semiconductor - FDMS86202

KEY Part #: K6411666

FDMS86202 Цены (доллары США) [60305шт сток]

  • 1 pcs$0.65162
  • 3,000 pcs$0.64838

номер части:
FDMS86202
производитель:
ON Semiconductor
Подробное описание:
MOSFET N-CH 120V 8MLP.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Модули питания драйверов, Транзисторы - JFETs, Транзисторы - IGBT - Single, Диоды - стабилитроны - массивы, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы) and Диоды - РФ ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in ON Semiconductor FDMS86202 electronic components. FDMS86202 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDMS86202, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDMS86202 Атрибуты продукта

номер части : FDMS86202
производитель : ON Semiconductor
Описание : MOSFET N-CH 120V 8MLP
Серии : PowerTrench®
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 120V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 13.5A (Ta)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 7.2 mOhm @ 13.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 64nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 4250pF @ 60V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 2.7W (Ta), 156W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : Power56
Пакет / Дело : 8-PowerTDFN

Вы также можете быть заинтересованы в