HS3M R7G Цены (доллары США) [470240шт сток]
- 1 pcs$0.07866
- номер части:
- HS3M R7G
- производитель:
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Подробное описание:
- DIODE GEN PURP 1KV 3A DO214AB. Rectifiers 3A,1000V, GP HIGH EFFICIENT SMD RECTIFIER
- Стандартное время изготовления производителя:
- В наличии
- Срок годности:
- Один год
- Чип от:
- Гонконг
- RoHS:
- Способ оплаты:
-
- Способ отгрузки:
- Семейные Категории:
- KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - IGBT - Модули, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Модули питания драйверов, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Диоды - Выпрямители - Массивы and Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра ...
- Конкурентное преимущество:
- We specialize in Taiwan Semiconductor Corporation HS3M R7G electronic components. HS3M R7G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for HS3M R7G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
HS3M R7G Атрибуты продукта
номер части :
HS3M R7G
производитель :
Taiwan Semiconductor Corporation
Описание :
DIODE GEN PURP 1KV 3A DO214AB
Серии :
-
Состояние детали :
Not For New Designs
Диодный Тип :
Standard
Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) :
1000V
Текущий - Средний выпрямленный (Io) :
3A
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если :
1.7V @ 3A
скорость :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Обратное время восстановления (trr) :
75ns
Ток - обратная утечка @ Vr :
10µA @ 1000V
Емкость @ Vr, F :
50pF @ 4V, 1MHz
Тип монтажа :
Surface Mount
Пакет / Дело :
DO-214AB, SMC
Комплект поставки устройства :
DO-214AB (SMC)
Рабочая температура - соединение :
-55°C ~ 150°C
Последние новости
Вы также можете быть заинтересованы в
-
SS14-E3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 40V 1A DO214AC. Schottky Diodes & Rectifiers 1.0 Amp 40 Volt
-
ES1D-E3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC. Rectifiers 1.0 Amp 200 Volt
-
ES2B-E3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA. Rectifiers 2.0 Amp 100 Volt
-
ES2FHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 300V 2A DO214AA. Rectifiers 2A,300V,35ns, SMB F.EFF.SM DIODE
-
ES2FHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 300V 2A DO214AA. Rectifiers 2A,300V,35ns, SMB F.EFF.SM DIODE
-
ES2CHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 150V 2A DO214AA. Rectifiers 2A,100V,20ns SMB, UF Rect, SMD
Горячие части
- D251N14BXPSA1
- SB350-B
- APD140VD-G1
- LL103C-7
- NSR10F40QNXT5G
- F1857D400
- GP10-4003E-M3/54
- CD0603-B0230
- VS-60CPF12PBF
- 1N3890A
- SSB43LHE3/52T
- ESH2PD-E3/84A
- RP 1HV1
- PMEG2005AEA/DG,115
- SB350S-E3/54
- 1N1205BR
- MR851RL
- EGP50AHE3/54
- 1N4247GPHE3/54
- BYD33JGP-E3/73
- BAS 3020B E6327
- SBL1640
- MUR450PFRLG
- D121K18BXPSA1
- FFPF05U60STTU
- 241NQ045R
- S20420
- 30WQ03FN
- VS-31DQ06
- CDLL1A50
- D170S25BS1XPSA1
- UH2C-M3/52T
- STPSC4H065DI
- RG 2V
- RFN2LAM4STR
- AS3BD-M3/I
- EGL34F-E3/83
- RF08L6STE25
- S3M M6G
- GP10A-E3/54