Если вашего местоположения нет в списке, выберите один из следующих:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Если вашего местоположения нет в списке, выберите один из следующих:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Главная
  2. Продукты
  3. Дискретные полупроводниковые изделия
  4. Модули питания драйверов
  5. GCMS008A120B1B1

Global Power Technologies Group - GCMS008A120B1B1

KEY Part #: K6531750

GCMS008A120B1B1 Цены (доллары США) [133шт сток]

  • 1 pcs$347.51794
  • 10 pcs$330.14229
номер части:
GCMS008A120B1B1
производитель:
Global Power Technologies Group
Подробное описание:
SIC MOSFET/SBD HALF BRIDGE MODUL.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Транзисторы - IGBT - Модули, Транзисторы - IGBTs - Массивы, Модули питания драйверов, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Транзисторы - JFETs and Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы) ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Global Power Technologies Group GCMS008A120B1B1 electronic components. GCMS008A120B1B1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for GCMS008A120B1B1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

GCMS008A120B1B1 Атрибуты продукта

номер части : GCMS008A120B1B1
производитель : Global Power Technologies Group
Описание : SIC MOSFET/SBD HALF BRIDGE MODUL
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип : MOSFET
конфигурация : Half Bridge
Текущий : 300A
вольтаж : 1.2kV
Напряжение - Изоляция : 2500Vrms
Пакет / Дело : Power Module

Последние новости

Global Specialties DSC-5300 Digital Storage Oscilloscope (DSO)
Global Specialties 1415 Dual Output DC Power Supply
Вы также можете быть заинтересованы в
  • DZ23C9V1-E3-18

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE ZENER 9.1V 300MW SOT23. Zener Diodes 9.1Volt 0.3 Watt 5%

  • AZ23C7V5-E3-08

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE ZENER 7.5V 300MW SOT23. Zener Diodes 7.5 Volt 0.3W 5% CA

  • DZ23C6V2-E3-18

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE ZENER 6.2V 300MW SOT23. Zener Diodes 6.2Volt 0.3 Watt 5%

  • DZ23C8V2-E3-08

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE ZENER 8.2V 300MW SOT23. Zener Diodes 8.2Volt 0.3 Watt 5%

  • DZ23C6V8-E3-18

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE ZENER 6.8V 300MW SOT23. Zener Diodes 6.8Volt 0.3 Watt 5%

  • AZ23C20-E3-08

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE ZENER 20V 300MW SOT23. Zener Diodes 20 Volt 0.3W 5% CA

Горячие части