Alliance Memory, Inc. - AS4C64M32MD2-25BCN

KEY Part #: K936990

AS4C64M32MD2-25BCN Цены (доллары США) [15588шт сток]

  • 1 pcs$2.93947
  • 10 pcs$2.68430
  • 25 pcs$2.63327
  • 50 pcs$2.61529
  • 100 pcs$2.34607
  • 250 pcs$2.33705
  • 500 pcs$2.19117
  • 1,000 pcs$2.09793

номер части:
AS4C64M32MD2-25BCN
производитель:
Alliance Memory, Inc.
Подробное описание:
IC DRAM 2G PARALLEL 134FBGA. DRAM 2G 1.2V/1.8V 400MHz 64Mx32 Mobile DDR2
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Сбор данных - Цифро-аналоговые преобразователи (ЦА, PMIC - эталон напряжения, PMIC - моторные драйверы, контроллеры, Интерфейс - Фильтры - Активные, PMIC - лазерные драйверы, Линейный - Компараторы, Интерфейс - Модули and Embedded - система на чипе (SoC) ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Alliance Memory, Inc. AS4C64M32MD2-25BCN electronic components. AS4C64M32MD2-25BCN can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for AS4C64M32MD2-25BCN, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

AS4C64M32MD2-25BCN Атрибуты продукта

номер части : AS4C64M32MD2-25BCN
производитель : Alliance Memory, Inc.
Описание : IC DRAM 2G PARALLEL 134FBGA
Серии : -
Состояние детали : Obsolete
Тип памяти : Volatile
Формат памяти : DRAM
Технология : SDRAM - Mobile LPDDR2
Размер памяти : 2Gb (64M x 32)
Тактовая частота : 400MHz
Время цикла записи - слово, страница : 15ns
Время доступа : -
Интерфейс памяти : Parallel
Напряжение - Поставка : 1.14V ~ 1.95V
Рабочая Температура : -30°C ~ 85°C (TA)
Тип монтажа : Surface Mount
Пакет / Дело : 134-VFBGA
Комплект поставки устройства : 134-FBGA (10x11.5)

Вы также можете быть заинтересованы в
  • AT28HC256E-12SU-T

    Microchip Technology

    IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 120NS, SOIC, IND TEMP, GREEN

  • AT28BV256-20SU

    Microchip Technology

    IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 256K 2.7V - 3.6V SDP- 200NS IND TEMP

  • AT28C256-15SU

    Microchip Technology

    IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 256K 11MIL GRIND 150NS IND TEMP

  • AT28HC256E-90SU-T

    Microchip Technology

    IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 90NS, SOIC, IND TEMP, GREEN

  • 71V25761S183PFGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 128Kx36 SYNC 3.3V PIPELINED BURST SRAM

  • W29N04GVBIAF

    Winbond Electronics

    IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA. NAND Flash 4G-bit NAND flash, 3V, 4-bit ECC, 3V, x8