ON Semiconductor - FCP380N60E

KEY Part #: K6418762

FCP380N60E Цены (доллары США) [76530шт сток]

  • 1 pcs$0.51091
  • 800 pcs$0.42110

номер части:
FCP380N60E
производитель:
ON Semiconductor
Подробное описание:
MOSFET N-CH 600V TO220-3.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - Программируемый однопереход, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Диоды - стабилитроны - одинарные, Диоды - РФ, Диоды - мостовые выпрямители and Диоды - Выпрямители - Массивы ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in ON Semiconductor FCP380N60E electronic components. FCP380N60E can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FCP380N60E, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FCP380N60E Атрибуты продукта

номер части : FCP380N60E
производитель : ON Semiconductor
Описание : MOSFET N-CH 600V TO220-3
Серии : SuperFET® II
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 600V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 10.2A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 380 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 45nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 1770pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 106W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Комплект поставки устройства : TO-220-3
Пакет / Дело : TO-220-3

Вы также можете быть заинтересованы в