IXYS - IXFH80N65X2

KEY Part #: K6399937

IXFH80N65X2 Цены (доллары США) [8424шт сток]

  • 1 pcs$5.38095
  • 10 pcs$4.84285
  • 100 pcs$3.98190
  • 500 pcs$3.33619

номер части:
IXFH80N65X2
производитель:
IXYS
Подробное описание:
MOSFET N-CH 650V 80A TO-247.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Транзисторы - IGBT - Single, Тиристоры - СКВ - Модули, Тиристоры - DIAC, SIDAC, Транзисторы - Программируемый однопереход, Диоды - стабилитроны - массивы, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра and Диоды - РФ ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in IXYS IXFH80N65X2 electronic components. IXFH80N65X2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFH80N65X2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFH80N65X2 Атрибуты продукта

номер части : IXFH80N65X2
производитель : IXYS
Описание : MOSFET N-CH 650V 80A TO-247
Серии : HiPerFET™
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 650V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 80A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 40 mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5.5V @ 4mA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 143nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±30V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 8245pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 890W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Комплект поставки устройства : TO-247
Пакет / Дело : TO-247-3

Вы также можете быть заинтересованы в
  • TN2106N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 60V 300MA TO92-3.

  • VN0550N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 500V 50MA TO92-3.

  • DN2535N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 350V 0.12A TO92-3.

  • VP2206N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 60V 640MA TO92-3.

  • VN0106N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3.

  • BTS282ZE3180AATMA2

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 49V 80A TO-220-7.