Infineon Technologies - IRF6665TRPBF

KEY Part #: K6420536

IRF6665TRPBF Цены (доллары США) [207548шт сток]

  • 1 pcs$0.20120
  • 4,800 pcs$0.20020

номер части:
IRF6665TRPBF
производитель:
Infineon Technologies
Подробное описание:
MOSFET N-CH 100V 4.2A DIRECTFET.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Транзисторы специального назначения, Транзисторы - JFETs, Тиристоры - СКВ - Модули, Диоды - мостовые выпрямители, Транзисторы - IGBT - Single, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис and Модули питания драйверов ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Infineon Technologies IRF6665TRPBF electronic components. IRF6665TRPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRF6665TRPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRF6665TRPBF Атрибуты продукта

номер части : IRF6665TRPBF
производитель : Infineon Technologies
Описание : MOSFET N-CH 100V 4.2A DIRECTFET
Серии : HEXFET®
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 100V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 4.2A (Ta), 19A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 62 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 13nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 530pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 2.2W (Ta), 42W (Tc)
Рабочая Температура : -40°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : DIRECTFET™ SH
Пакет / Дело : DirectFET™ Isometric SH

Вы также можете быть заинтересованы в