Renesas Electronics America - RJK0305DPB-02#J0

KEY Part #: K6420054

RJK0305DPB-02#J0 Цены (доллары США) [155350шт сток]

  • 1 pcs$0.26321
  • 2,500 pcs$0.26190

номер части:
RJK0305DPB-02#J0
производитель:
Renesas Electronics America
Подробное описание:
MOSFET N-CH 30V 30A LFPAK.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Тиристоры - ТРИАКС, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Диоды - Выпрямители - Массивы and Диоды - РФ ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Renesas Electronics America RJK0305DPB-02#J0 electronic components. RJK0305DPB-02#J0 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RJK0305DPB-02#J0, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RJK0305DPB-02#J0 Атрибуты продукта

номер части : RJK0305DPB-02#J0
производитель : Renesas Electronics America
Описание : MOSFET N-CH 30V 30A LFPAK
Серии : -
Состояние детали : Not For New Designs
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 30V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 30A (Ta)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 8nC @ 4.5V
Vgs (Макс) : +16V, -12V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 1250pF @ 10V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : -
Рабочая Температура : -
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : LFPAK
Пакет / Дело : SC-100, SOT-669

Вы также можете быть заинтересованы в