ON Semiconductor - NSVBC114YPDXV6T1G

KEY Part #: K6528843

NSVBC114YPDXV6T1G Цены (доллары США) [817851шт сток]

  • 1 pcs$0.04523
  • 8,000 pcs$0.04248

номер части:
NSVBC114YPDXV6T1G
производитель:
ON Semiconductor
Подробное описание:
TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - JFETs, Транзисторы - IGBT - Single, Диоды - РФ, Диоды - мостовые выпрямители, Транзисторы - IGBT - Модули, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра and Диоды - стабилитроны - одинарные ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in ON Semiconductor NSVBC114YPDXV6T1G electronic components. NSVBC114YPDXV6T1G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NSVBC114YPDXV6T1G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NSVBC114YPDXV6T1G Атрибуты продукта

номер части : NSVBC114YPDXV6T1G
производитель : ON Semiconductor
Описание : TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
Серии : Automotive, AEC-Q101
Состояние детали : Active
Тип Транзистора : 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Ток - Коллектор (Ic) (Макс) : 100mA
Напряжение - пробой коллектора эмиттера (макс.) : 50V
Резистор - База (R1) : 10 kOhms
Резистор - база эмиттера (R2) : 47 kOhms
Усиление постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce : 80 @ 5mA, 10V
Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic : 250mV @ 300µA, 10mA
Ток - отсечка коллектора (макс.) : 500nA
Частота - Переход : -
Мощность - Макс : 500mW
Тип монтажа : Surface Mount
Пакет / Дело : SOT-563, SOT-666
Комплект поставки устройства : SOT-563

Вы также можете быть заинтересованы в