Diodes Incorporated - ZXMN10A08DN8TA

KEY Part #: K6522883

ZXMN10A08DN8TA Цены (доллары США) [178163шт сток]

  • 1 pcs$0.20864
  • 500 pcs$0.20761

номер части:
ZXMN10A08DN8TA
производитель:
Diodes Incorporated
Подробное описание:
MOSFET 2N-CH 100V 1.6A 8-SOIC.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Диоды - мостовые выпрямители, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Транзисторы - IGBT - Single, Транзисторы - JFETs, Диоды - Выпрямители - Массивы and Тиристоры - СКВ ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Diodes Incorporated ZXMN10A08DN8TA electronic components. ZXMN10A08DN8TA can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for ZXMN10A08DN8TA, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

ZXMN10A08DN8TA Атрибуты продукта

номер части : ZXMN10A08DN8TA
производитель : Diodes Incorporated
Описание : MOSFET 2N-CH 100V 1.6A 8-SOIC
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип FET : 2 N-Channel (Dual)
Функция FET : Logic Level Gate
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 100V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 1.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 250 mOhm @ 3.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA (Min)
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 7.7nC @ 10V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 405pF @ 50V
Мощность - Макс : 1.25W
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Пакет / Дело : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Комплект поставки устройства : 8-SOP

Вы также можете быть заинтересованы в
  • DMN2040LTS-13

    Diodes Incorporated

    MOSFET 2N-CH 20V 6.7A 8TSSOP.

  • DMN2019UTS-13

    Diodes Incorporated

    MOSFET 2N-CH 20V 5.4A TSSOP-8.

  • DMG8822UTS-13

    Diodes Incorporated

    MOSFET 2N-CH 20V 4.9A 8TSSOP.

  • SH8K3TB1

    Rohm Semiconductor

    MOSFET 2N-CH 30V 7A SOP8.

  • SI4804CDY-T1-GE3

    Vishay Siliconix

    MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC.

  • SH8M3TB1

    Rohm Semiconductor

    MOSFET N/P-CH 30V 5A/4.5A SOP8.