Infineon Technologies - IPD80R360P7ATMA1

KEY Part #: K6418899

IPD80R360P7ATMA1 Цены (доллары США) [82076шт сток]

  • 1 pcs$0.53232
  • 2,500 pcs$0.52967

номер части:
IPD80R360P7ATMA1
производитель:
Infineon Technologies
Подробное описание:
MOSFET N-CH 800V 13A TO252-3.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - IGBT - Модули, Диоды - стабилитроны - массивы, Диоды - мостовые выпрямители, Тиристоры - СКВ, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Модули питания драйверов, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы) and Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Infineon Technologies IPD80R360P7ATMA1 electronic components. IPD80R360P7ATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPD80R360P7ATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPD80R360P7ATMA1 Атрибуты продукта

номер части : IPD80R360P7ATMA1
производитель : Infineon Technologies
Описание : MOSFET N-CH 800V 13A TO252-3
Серии : CoolMOS™ P7
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 800V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 13A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 360 mOhm @ 5.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 280µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 30nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 930pF @ 500V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 84W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : PG-TO252-3
Пакет / Дело : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Вы также можете быть заинтересованы в
  • CPH6350-TL-W

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 30V 6A CPH6.

  • FQD2N100TM

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK.

  • IXTY3N60P

    IXYS

    MOSFET N-CH 600V 3A D-PAK.

  • TK100S04N1L,LQ

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 40V 100A DPAK.

  • FQD11P06TM

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 60V 9.4A DPAK.

  • IRFR5505TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET P-CH 55V 18A DPAK.