Infineon Technologies - IRF9530NSTRRPBF

KEY Part #: K6420037

IRF9530NSTRRPBF Цены (доллары США) [153686шт сток]

  • 1 pcs$0.25693
  • 800 pcs$0.25565

номер части:
IRF9530NSTRRPBF
производитель:
Infineon Technologies
Подробное описание:
MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Модули питания драйверов, Диоды - РФ, Транзисторы - IGBT - Модули, Диоды - мостовые выпрямители, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра and Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Infineon Technologies IRF9530NSTRRPBF electronic components. IRF9530NSTRRPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRF9530NSTRRPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRF9530NSTRRPBF Атрибуты продукта

номер части : IRF9530NSTRRPBF
производитель : Infineon Technologies
Описание : MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK
Серии : HEXFET®
Состояние детали : Not For New Designs
Тип FET : P-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 100V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 14A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 200 mOhm @ 8.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 58nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 760pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 3.8W (Ta), 79W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : D2PAK
Пакет / Дело : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Вы также можете быть заинтересованы в