Microsemi Corporation - JANTXV1N5806US

KEY Part #: K6433001

JANTXV1N5806US Цены (доллары США) [7408шт сток]

  • 1 pcs$6.33596
  • 131 pcs$6.30443

номер части:
JANTXV1N5806US
производитель:
Microsemi Corporation
Подробное описание:
DIODE GEN PURP 150V 1A D5A. ESD Suppressors / TVS Diodes D MET 2.5A SFST 150V HRV 2FFTV
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - IGBT - Модули, Тиристоры - СКВ, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Транзисторы - Программируемый однопереход, Транзисторы - JFETs, Транзисторы - IGBT - Single, Диоды - РФ and Диоды - Выпрямители - Массивы ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Microsemi Corporation JANTXV1N5806US electronic components. JANTXV1N5806US can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JANTXV1N5806US, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

JANTXV1N5806US Атрибуты продукта

номер части : JANTXV1N5806US
производитель : Microsemi Corporation
Описание : DIODE GEN PURP 150V 1A D5A
Серии : Military, MIL-PRF-19500/477
Состояние детали : Active
Диодный Тип : Standard
Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) : 150V
Текущий - Средний выпрямленный (Io) : 1A
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если : 875mV @ 1A
скорость : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Обратное время восстановления (trr) : 25ns
Ток - обратная утечка @ Vr : 1µA @ 150V
Емкость @ Vr, F : 25pF @ 10V, 1MHz
Тип монтажа : Surface Mount
Пакет / Дело : SQ-MELF, A
Комплект поставки устройства : D-5A
Рабочая температура - соединение : -65°C ~ 175°C

Вы также можете быть заинтересованы в
  • VS-16F20

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 16A DO203AA. Rectifiers 200 Volt 16 Amp

  • SS1FH10-M3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 100V 1A DO-219AB. Schottky Diodes & Rectifiers If 1A Vrrm 100V DO-219AB Ifsm 40A

  • V3FL45-M3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    3A45VSMFTRENCH SKY RECT..

  • SS1FN6-M3/H

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 60V 1A DO219AB. Schottky Diodes & Rectifiers 60V Vrrm 1A IF(AV) SMF (DO-219AB)

  • V2FL45-M3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    2A45VSMFTRENCH SKY RECT..

  • V3FM10HM3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    3A100VSMFTRENCH SKY RECT..