Infineon Technologies - IPA65R650CEXKSA1

KEY Part #: K6402077

IPA65R650CEXKSA1 Цены (доллары США) [71938шт сток]

  • 1 pcs$0.47663
  • 10 pcs$0.42186
  • 100 pcs$0.31549
  • 500 pcs$0.24467
  • 1,000 pcs$0.19316

номер части:
IPA65R650CEXKSA1
производитель:
Infineon Technologies
Подробное описание:
MOSFET N-CH 650V TO-220-3.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - РФ, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Тиристоры - СКВ, Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Транзисторы - Программируемый однопереход, Диоды - Выпрямители - Массивы, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва and Диоды - Выпрямители - Одиночные ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Infineon Technologies IPA65R650CEXKSA1 electronic components. IPA65R650CEXKSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPA65R650CEXKSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPA65R650CEXKSA1 Атрибуты продукта

номер части : IPA65R650CEXKSA1
производитель : Infineon Technologies
Описание : MOSFET N-CH 650V TO-220-3
Серии : CoolMOS™ CE
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 650V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 7A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 650 mOhm @ 2.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 210µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 23nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 440pF @ 100V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 28W (Tc)
Рабочая Температура : -40°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Комплект поставки устройства : TO-220 Full Pack
Пакет / Дело : TO-220-3 Full Pack

Вы также можете быть заинтересованы в
  • ZVN3310ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 100V 200MA TO92-3.

  • BS107PSTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 200V 0.12A TO92-3.

  • ZVN2106ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 0.45A TO92-3.

  • LND150N3-G-P003

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3.

  • ZVN2110ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3.

  • ZVP2110ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET P-CH 100V 0.23A TO92-3.