Microsemi Corporation - JAN1N5806URS

KEY Part #: K6438271

JAN1N5806URS Цены (доллары США) [4311шт сток]

1 pcs$10.09932
100 pcs$10.04907

номер части:: JAN1N5806URS

производитель:: Microsemi Corporation

Подробное описание:: DIODE GEN PURP 150V 1A APKG. Rectifiers Rectifier

Стандартное время изготовления производителя:: В наличии

Срок годности:: Один год

Чип от:: Гонконг

RoHS:

Способ оплаты:

Способ отгрузки:

Семейные Категории:: KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Транзисторы - IGBT - Модули, Транзисторы специального назначения, Диоды - стабилитроны - массивы, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Диоды - Выпрямители - Массивы, Транзисторы - IGBTs - Массивы and Транзисторы - IGBT - Single ...

Конкурентное преимущество:: We specialize in Microsemi Corporation JAN1N5806URS electronic components. JAN1N5806URS can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JAN1N5806URS, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

GB-T-27922

ISO-9001-2015

ISO-13485

ISO-14001

ISO-28000-2007

ISO-45001-2018

JAN1N5806URS Атрибуты продукта

номер части : JAN1N5806URS

производитель : Microsemi Corporation

Описание : DIODE GEN PURP 150V 1A APKG

Серии : Military, MIL-PRF-19500/477

Состояние детали : Active

Диодный Тип : Standard

Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) : 150V

Текущий - Средний выпрямленный (Io) : 1A

Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если : 875mV @ 1A

скорость : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Обратное время восстановления (trr) : 25ns

Ток - обратная утечка @ Vr : 1µA @ 150V

Емкость @ Vr, F : 25pF @ 10V, 1MHz

Тип монтажа : Surface Mount

Пакет / Дело : SQ-MELF, A

Комплект поставки устройства : A-MELF

Рабочая температура - соединение : -65°C ~ 175°C

Последние новости

Microsemi Adaptec® HBA 1100 SAS/SATA Host Bus Adapters

Вы также можете быть заинтересованы в

SE20FGHM3/H

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 400V 1.7A DO219AB. Rectifiers 2A,400V ESD PROTECTION, SMF RECT
SE15FJHM3/I

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 600V 1.5A DO219AB. Rectifiers 1.5A,600V ESD PROTECTION, SMF RECT
SE15FJ-M3/H

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 600V 1.5A DO219AB. Rectifiers 1.5A,600V ESD PROTECTION, SMF RECT
SE15FG-M3/I

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 400V 1.5A DO219AB. Rectifiers 1.5A,400V ESD PROTECTION, SMF RECT
SE15FD-M3/H

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 200V 1.5A DO219AB. Rectifiers 1.5A,200V ESD PROTECTION, SMF RECT
SE20FJHM3/I

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 600V 1.7A DO219AB. Rectifiers 2A,600V ESD PROTECTION, SMF RECT

Горячие части

English русский