Infineon Technologies - BSC030P03NS3GAUMA1

KEY Part #: K6420478

BSC030P03NS3GAUMA1 Цены (доллары США) [71491шт сток]

  • 1 pcs$0.54694

номер части:
BSC030P03NS3GAUMA1
производитель:
Infineon Technologies
Подробное описание:
MOSFET P-CH 30V 100A TDSON-8.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Диоды - РФ, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Диоды - Выпрямители - Массивы, Диоды - Выпрямители - Одиночные and Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Infineon Technologies BSC030P03NS3GAUMA1 electronic components. BSC030P03NS3GAUMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSC030P03NS3GAUMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSC030P03NS3GAUMA1 Атрибуты продукта

номер части : BSC030P03NS3GAUMA1
производитель : Infineon Technologies
Описание : MOSFET P-CH 30V 100A TDSON-8
Серии : OptiMOS™
Состояние детали : Active
Тип FET : P-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 30V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 25.4A (Ta), 100A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.1V @ 345µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 186nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±25V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 14000pF @ 15V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 2.5W (Ta), 125W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : PG-TDSON-8
Пакет / Дело : 8-PowerTDFN

Вы также можете быть заинтересованы в