ON Semiconductor - NGTG35N65FL2WG

KEY Part #: K6422603

NGTG35N65FL2WG Цены (доллары США) [21697шт сток]

  • 1 pcs$1.89942
  • 240 pcs$1.39129

номер части:
NGTG35N65FL2WG
производитель:
ON Semiconductor
Подробное описание:
IGBT 650V 60A 167W TO247.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Диоды - РФ, Транзисторы - IGBT - Модули, Диоды - стабилитроны - массивы, Транзисторы - IGBT - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Транзисторы - JFETs and Диоды - мостовые выпрямители ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in ON Semiconductor NGTG35N65FL2WG electronic components. NGTG35N65FL2WG can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NGTG35N65FL2WG, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NGTG35N65FL2WG Атрибуты продукта

номер части : NGTG35N65FL2WG
производитель : ON Semiconductor
Описание : IGBT 650V 60A 167W TO247
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип IGBT : Field Stop
Напряжение - пробой коллектора эмиттера (макс.) : 650V
Ток - Коллектор (Ic) (Макс) : 70A
Ток - Коллектор Импульсный (Icm) : 120A
Vce (вкл) (Макс) @ Vge, Ic : 2V @ 15V, 35A
Мощность - Макс : 300W
Энергия переключения : 840µJ (on), 280µJ (off)
Тип ввода : Standard
Gate Charge : 125nC
Td (вкл / выкл) при 25 ° C : 72ns/132ns
Условия испытаний : 400V, 35A, 10 Ohm, 15V
Обратное время восстановления (trr) : -
Рабочая Температура : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Пакет / Дело : TO-247-3
Комплект поставки устройства : TO-247-3

Вы также можете быть заинтересованы в