IXYS - IXTA3N50P

KEY Part #: K6418983

IXTA3N50P Цены (доллары США) [85641шт сток]

  • 1 pcs$0.52768
  • 50 pcs$0.52505

номер части:
IXTA3N50P
производитель:
IXYS
Подробное описание:
MOSFET N-CH 500V 3.6A D2PAK.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - IGBT - Модули, Диоды - стабилитроны - одинарные, Транзисторы - IGBTs - Массивы, Транзисторы - IGBT - Single, Тиристоры - СКВ - Модули, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Диоды - РФ and Тиристоры - СКВ ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in IXYS IXTA3N50P electronic components. IXTA3N50P can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTA3N50P, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTA3N50P Атрибуты продукта

номер части : IXTA3N50P
производитель : IXYS
Описание : MOSFET N-CH 500V 3.6A D2PAK
Серии : PolarHV™
Состояние детали : Last Time Buy
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 500V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 3.6A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2 Ohm @ 1.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5.5V @ 50µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 9.3nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±30V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 409pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 70W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : TO-263 (IXTA)
Пакет / Дело : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Вы также можете быть заинтересованы в