Infineon Technologies - IPB180N04S401ATMA1

KEY Part #: K6402090

IPB180N04S401ATMA1 Цены (доллары США) [68107шт сток]

  • 1 pcs$0.57411
  • 1,000 pcs$0.52669

номер части:
IPB180N04S401ATMA1
производитель:
Infineon Technologies
Подробное описание:
MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7-3.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Диоды - мостовые выпрямители, Диоды - РФ, Диоды - Выпрямители - Массивы, Тиристоры - СКВ, Транзисторы - Программируемый однопереход, Транзисторы специального назначения and Модули питания драйверов ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Infineon Technologies IPB180N04S401ATMA1 electronic components. IPB180N04S401ATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPB180N04S401ATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPB180N04S401ATMA1 Атрибуты продукта

номер части : IPB180N04S401ATMA1
производитель : Infineon Technologies
Описание : MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7-3
Серии : OptiMOS™
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 40V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 180A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.3 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 140µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 176nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 14000pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 188W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : PG-TO263-7-3
Пакет / Дело : TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

Вы также можете быть заинтересованы в
  • ZVN3310ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 100V 200MA TO92-3.

  • BS107PSTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 200V 0.12A TO92-3.

  • ZVN2106ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 0.45A TO92-3.

  • LND150N3-G-P003

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3.

  • ZVN2110ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3.

  • ZVP2110ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET P-CH 100V 0.23A TO92-3.