Vishay Siliconix - SI7430DP-T1-E3

KEY Part #: K6418499

SI7430DP-T1-E3 Цены (доллары США) [66214шт сток]

  • 1 pcs$0.59052
  • 3,000 pcs$0.49794

номер части:
SI7430DP-T1-E3
производитель:
Vishay Siliconix
Подробное описание:
MOSFET N-CH 150V 26A PPAK SO-8.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Тиристоры - СКВ - Модули, Транзисторы - IGBT - Single, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Диоды - Выпрямители - Одиночные, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар and Транзисторы - JFETs ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Vishay Siliconix SI7430DP-T1-E3 electronic components. SI7430DP-T1-E3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI7430DP-T1-E3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI7430DP-T1-E3 Атрибуты продукта

номер части : SI7430DP-T1-E3
производитель : Vishay Siliconix
Описание : MOSFET N-CH 150V 26A PPAK SO-8
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 150V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 26A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 8V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 45 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 43nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 1735pF @ 50V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 5.2W (Ta), 64W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : PowerPAK® SO-8
Пакет / Дело : PowerPAK® SO-8

Вы также можете быть заинтересованы в
  • IXTY01N80

    IXYS

    MOSFET N-CH 800V 0.1A TO-252AA.

  • IRFR1018ETRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 60V 56A DPAK.

  • IXTU5N50P

    IXYS

    MOSFET N-CH 500V 4.8A TO-252.

  • TK42A12N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 120V 42A TO-220.

  • TK8A65W,S5X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 650V 7.8A TO-220SIS.

  • TK6A65W,S5X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 650V 5.8A TO-220SIS.