Vishay Siliconix - SISA96DN-T1-GE3

KEY Part #: K6421425

SISA96DN-T1-GE3 Цены (доллары США) [539712шт сток]

  • 1 pcs$0.06853
  • 3,000 pcs$0.06474

номер части:
SISA96DN-T1-GE3
производитель:
Vishay Siliconix
Подробное описание:
MOSFET N-CH 30V 16A POWERPAK1212.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Тиристоры - DIAC, SIDAC, Тиристоры - СКВ - Модули, Транзисторы - Программируемый однопереход, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Диоды - РФ, Тиристоры - ТРИАКС, Транзисторы - IGBT - Модули and Модули питания драйверов ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Vishay Siliconix SISA96DN-T1-GE3 electronic components. SISA96DN-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SISA96DN-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SISA96DN-T1-GE3 Атрибуты продукта

номер части : SISA96DN-T1-GE3
производитель : Vishay Siliconix
Описание : MOSFET N-CH 30V 16A POWERPAK1212
Серии : TrenchFET® Gen IV
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 30V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 16A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8.8 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 15nC @ 4.5V
Vgs (Макс) : +20V, -16V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 1385pF @ 15V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 26.5W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : PowerPAK® 1212-8
Пакет / Дело : PowerPAK® 1212-8

Вы также можете быть заинтересованы в