Infineon Technologies - FP75R17N3E4B11BPSA1

KEY Part #: K6533274

FP75R17N3E4B11BPSA1 Цены (доллары США) [505шт сток]

  • 1 pcs$91.74898

номер части:
FP75R17N3E4B11BPSA1
производитель:
Infineon Technologies
Подробное описание:
MOD IGBT LOW PWR ECONO3-3.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - IGBT - Single, Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Диоды - стабилитроны - одинарные, Тиристоры - DIAC, SIDAC, Транзисторы - IGBTs - Массивы, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Диоды - Выпрямители - Массивы and Модули питания драйверов ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Infineon Technologies FP75R17N3E4B11BPSA1 electronic components. FP75R17N3E4B11BPSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FP75R17N3E4B11BPSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FP75R17N3E4B11BPSA1 Атрибуты продукта

номер части : FP75R17N3E4B11BPSA1
производитель : Infineon Technologies
Описание : MOD IGBT LOW PWR ECONO3-3
Серии : EconoPIM™3
Состояние детали : Active
Тип IGBT : Trench Field Stop
конфигурация : Three Phase Inverter
Напряжение - пробой коллектора эмиттера (макс.) : 1700V
Ток - Коллектор (Ic) (Макс) : 150A
Мощность - Макс : 20mW
Vce (вкл) (Макс) @ Vge, Ic : 2.3V @ 15V, 75A
Ток - отсечка коллектора (макс.) : 1mA
Входная емкость (Cies) @ Vce : 6.8nF @ 25V
вход : Three Phase Bridge Rectifier
NTC Термистор : Yes
Рабочая Температура : -40°C ~ 150°C
Тип монтажа : Chassis Mount
Пакет / Дело : Module
Комплект поставки устройства : Module

Вы также можете быть заинтересованы в
  • VS-ETL015Y120H

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 22A 89W EMIPAK-2B. Rectifiers 15A Dbl Interleaved Boost Converter

  • VS-ETF150Y65U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 650V 150A EMIPAK-2B.

  • VS-ETF075Y60U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 600V 109A 294W EMIPAK-2B.

  • APT85GR120JD60

    Microsemi Corporation

    IGBT MODULE 1200V 116A ISOTOP.

  • APTGT200DA60T3AG

    Microsemi Corporation

    MOD IGBT 600V 290A SP3.

  • APTGT100DU60TG

    Microsemi Corporation

    POWER MOD IGBT TRENCH DL SRC SP4.