номер части :
BSM100GB120DN2KHOSA1
производитель :
Infineon Technologies
Описание :
IGBT 2 MED POWER 34MM-1
Состояние детали :
Not For New Designs
конфигурация :
Half Bridge
Напряжение - пробой коллектора эмиттера (макс.) :
1200V
Ток - Коллектор (Ic) (Макс) :
145A
Vce (вкл) (Макс) @ Vge, Ic :
3V @ 15V, 100A
Ток - отсечка коллектора (макс.) :
2mA
Входная емкость (Cies) @ Vce :
6.5nF @ 25V
Рабочая Температура :
150°C (TJ)
Тип монтажа :
Chassis Mount
Комплект поставки устройства :
Module