Infineon Technologies - BSM100GB120DN2KHOSA1

KEY Part #: K6534501

BSM100GB120DN2KHOSA1 Цены (доллары США) [920шт сток]

  • 1 pcs$50.45685

номер части:
BSM100GB120DN2KHOSA1
производитель:
Infineon Technologies
Подробное описание:
IGBT 2 MED POWER 34MM-1.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Тиристоры - ТРИАКС, Диоды - РФ, Тиристоры - СКВ - Модули, Транзисторы - JFETs, Транзисторы - Программируемый однопереход, Диоды - Выпрямители - Массивы, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва and Транзисторы - IGBT - Single ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Infineon Technologies BSM100GB120DN2KHOSA1 electronic components. BSM100GB120DN2KHOSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSM100GB120DN2KHOSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSM100GB120DN2KHOSA1 Атрибуты продукта

номер части : BSM100GB120DN2KHOSA1
производитель : Infineon Technologies
Описание : IGBT 2 MED POWER 34MM-1
Серии : -
Состояние детали : Not For New Designs
Тип IGBT : -
конфигурация : Half Bridge
Напряжение - пробой коллектора эмиттера (макс.) : 1200V
Ток - Коллектор (Ic) (Макс) : 145A
Мощность - Макс : 700W
Vce (вкл) (Макс) @ Vge, Ic : 3V @ 15V, 100A
Ток - отсечка коллектора (макс.) : 2mA
Входная емкость (Cies) @ Vce : 6.5nF @ 25V
вход : Standard
NTC Термистор : No
Рабочая Температура : 150°C (TJ)
Тип монтажа : Chassis Mount
Пакет / Дело : Module
Комплект поставки устройства : Module