Infineon Technologies - FB20R06W1E3B11HOMA1

KEY Part #: K6534697

FB20R06W1E3B11HOMA1 Цены (доллары США) [2929шт сток]

  • 1 pcs$14.78776

номер части:
FB20R06W1E3B11HOMA1
производитель:
Infineon Technologies
Подробное описание:
IGBT MODULE VCES 600V 20A.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Тиристоры - СКВ - Модули, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Тиристоры - СКВ, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы and Транзисторы - IGBT - Single ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Infineon Technologies FB20R06W1E3B11HOMA1 electronic components. FB20R06W1E3B11HOMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FB20R06W1E3B11HOMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FB20R06W1E3B11HOMA1 Атрибуты продукта

номер части : FB20R06W1E3B11HOMA1
производитель : Infineon Technologies
Описание : IGBT MODULE VCES 600V 20A
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип IGBT : Trench Field Stop
конфигурация : Three Phase Inverter
Напряжение - пробой коллектора эмиттера (макс.) : 600V
Ток - Коллектор (Ic) (Макс) : 29A
Мощность - Макс : 94W
Vce (вкл) (Макс) @ Vge, Ic : 2V @ 15V, 20A
Ток - отсечка коллектора (макс.) : 1mA
Входная емкость (Cies) @ Vce : 1.1nF @ 25V
вход : Standard
NTC Термистор : Yes
Рабочая Температура : -40°C ~ 150°C
Тип монтажа : Chassis Mount
Пакет / Дело : Module
Комплект поставки устройства : Module

Вы также можете быть заинтересованы в
  • VS-CPV364M4KPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 13A IMS-2.

  • VS-CPV362M4FPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 600V 8.8A 23W IMS-2.

  • VS-CPV364M4UPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    MOD IGBT 3PHASE INV 600V SIP.

  • VS-CPV363M4UPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    MOD IGBT 3PHASE INV 600V SIP.

  • VS-CPV362M4KPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    MOD IGBT 3PHASE INV 600V SIP.

  • VS-CPV362M4UPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    MOD IGBT 3PHASE INV 600V SIP.