Infineon Technologies - FZ900R12KF5NOSA1

KEY Part #: K6532556

[1127шт сток]


    номер части:
    FZ900R12KF5NOSA1
    производитель:
    Infineon Technologies
    Подробное описание:
    POWER MOD IGBT 1200V A-IHM130-2.
    Стандартное время изготовления производителя:
    В наличии
    Срок годности:
    Один год
    Чип от:
    Гонконг
    RoHS:
    Способ оплаты:
    Способ отгрузки:
    Семейные Категории:
    KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Модули питания драйверов, Диоды - Выпрямители - Массивы, Транзисторы - IGBT - Single, Тиристоры - DIAC, SIDAC, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF and Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра ...
    Конкурентное преимущество:
    We specialize in Infineon Technologies FZ900R12KF5NOSA1 electronic components. FZ900R12KF5NOSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FZ900R12KF5NOSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    FZ900R12KF5NOSA1 Атрибуты продукта

    номер части : FZ900R12KF5NOSA1
    производитель : Infineon Technologies
    Описание : POWER MOD IGBT 1200V A-IHM130-2
    Серии : -
    Состояние детали : Obsolete
    Тип IGBT : -
    конфигурация : -
    Напряжение - пробой коллектора эмиттера (макс.) : -
    Ток - Коллектор (Ic) (Макс) : -
    Мощность - Макс : -
    Vce (вкл) (Макс) @ Vge, Ic : -
    Ток - отсечка коллектора (макс.) : -
    Входная емкость (Cies) @ Vce : -
    вход : -
    NTC Термистор : -
    Рабочая Температура : -
    Тип монтажа : -
    Пакет / Дело : -
    Комплект поставки устройства : -

    Вы также можете быть заинтересованы в
    • VS-ENQ030L120S

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      IGBT 1200V 61A 216W EMIPAK-1B. Rectifiers 30A Neutral Point Clamp Topology

    • VS-ETF150Y65N

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      IGBT 650V 150A EMIPAK-2B.

    • CPV362M4F

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      IGBT SIP MODULE 600V 8.8A IMS-2.

    • CPV363M4K

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      IGBT SIP MODULE 600V 6A IMS-2.

    • A2C35S12M3

      STMicroelectronics

      IGBT TRENCH 1200V 35A ACEPACK2.

    • A2C25S12M3

      STMicroelectronics

      IGBT TRENCH 1200V 25A ACEPACK2.