Vishay Semiconductor Diodes Division - VS-ENQ030L120S

KEY Part #: K6532495

VS-ENQ030L120S Цены (доллары США) [792шт сток]

  • 1 pcs$58.63977
  • 10 pcs$55.86688
  • 25 pcs$54.67848

номер части:
VS-ENQ030L120S
производитель:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Подробное описание:
IGBT 1200V 61A 216W EMIPAK-1B. Rectifiers 30A Neutral Point Clamp Topology
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - IGBT - Single, Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Диоды - РФ, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - JFETs, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра and Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division VS-ENQ030L120S electronic components. VS-ENQ030L120S can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for VS-ENQ030L120S, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

VS-ENQ030L120S Атрибуты продукта

номер части : VS-ENQ030L120S
производитель : Vishay Semiconductor Diodes Division
Описание : IGBT 1200V 61A 216W EMIPAK-1B
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип IGBT : Trench
конфигурация : Three Level Inverter
Напряжение - пробой коллектора эмиттера (макс.) : 1200V
Ток - Коллектор (Ic) (Макс) : 61A
Мощность - Макс : 216W
Vce (вкл) (Макс) @ Vge, Ic : 2.52V @ 15V, 30A
Ток - отсечка коллектора (макс.) : 230µA
Входная емкость (Cies) @ Vce : 3.34nF @ 30V
вход : Standard
NTC Термистор : Yes
Рабочая Температура : 150°C (TJ)
Тип монтажа : Chassis Mount
Пакет / Дело : EMIPAK-1B
Комплект поставки устройства : EMIPAK-1B

Вы также можете быть заинтересованы в
  • GA100SICP12-227

    GeneSiC Semiconductor

    SIC CO-PACK SJT/RECT 100A 1.2KV.

  • VS-ENQ030L120S

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 61A 216W EMIPAK-1B. Rectifiers 30A Neutral Point Clamp Topology

  • VS-ETF150Y65N

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 650V 150A EMIPAK-2B.

  • CPV362M4F

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 8.8A IMS-2.

  • A2C35S12M3

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 35A ACEPACK2.

  • A2C25S12M3

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 25A ACEPACK2.