Infineon Technologies - BSM75GP60BOSA1

KEY Part #: K6534363

BSM75GP60BOSA1 Цены (доллары США) [616шт сток]

  • 1 pcs$75.29995

номер части:
BSM75GP60BOSA1
производитель:
Infineon Technologies
Подробное описание:
IGBT 2 LOW POWER ECONO3-3.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Тиристоры - ТРИАКС, Тиристоры - СКВ, Транзисторы - JFETs, Диоды - мостовые выпрямители, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Тиристоры - СКВ - Модули, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар and Транзисторы - Программируемый однопереход ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Infineon Technologies BSM75GP60BOSA1 electronic components. BSM75GP60BOSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSM75GP60BOSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSM75GP60BOSA1 Атрибуты продукта

номер части : BSM75GP60BOSA1
производитель : Infineon Technologies
Описание : IGBT 2 LOW POWER ECONO3-3
Серии : -
Состояние детали : Not For New Designs
Тип IGBT : -
конфигурация : Three Phase Inverter
Напряжение - пробой коллектора эмиттера (макс.) : 600V
Ток - Коллектор (Ic) (Макс) : 100A
Мощность - Макс : 310W
Vce (вкл) (Макс) @ Vge, Ic : 2.45V @ 15V, 75A
Ток - отсечка коллектора (макс.) : 500µA
Входная емкость (Cies) @ Vce : 3.3nF @ 25V
вход : Three Phase Bridge Rectifier
NTC Термистор : Yes
Рабочая Температура : -40°C ~ 125°C
Тип монтажа : Chassis Mount
Пакет / Дело : Module
Комплект поставки устройства : Module

Вы также можете быть заинтересованы в
  • GA400TD25S

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT FAST 250V 400A INT-A-PAK.

  • CPV364M4F

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 15A IMS-2.

  • CPV363M4F

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 9A IMS-2.

  • GA200SA60U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT UFAST 600V 100A SOT227.

  • GA200SA60S

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT STD 600V 100A SOT227.

  • STGE50NB60HD

    STMicroelectronics

    IGBT N-CHAN 600V 50A ISOTOP.