Infineon Technologies - FZ1200R17HP4HOSA2

KEY Part #: K6533608

FZ1200R17HP4HOSA2 Цены (доллары США) [142шт сток]

  • 1 pcs$326.00658

номер части:
FZ1200R17HP4HOSA2
производитель:
Infineon Technologies
Подробное описание:
MODULE IGBT IHMB130-2.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - IGBT - Single, Тиристоры - DIAC, SIDAC, Модули питания драйверов, Транзисторы - IGBTs - Массивы, Диоды - РФ, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы and Диоды - Выпрямители - Массивы ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Infineon Technologies FZ1200R17HP4HOSA2 electronic components. FZ1200R17HP4HOSA2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FZ1200R17HP4HOSA2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FZ1200R17HP4HOSA2 Атрибуты продукта

номер части : FZ1200R17HP4HOSA2
производитель : Infineon Technologies
Описание : MODULE IGBT IHMB130-2
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип IGBT : Trench
конфигурация : Single Switch
Напряжение - пробой коллектора эмиттера (макс.) : 1700V
Ток - Коллектор (Ic) (Макс) : 1200A
Мощность - Макс : 7800W
Vce (вкл) (Макс) @ Vge, Ic : 2.25V @ 15V, 1200A
Ток - отсечка коллектора (макс.) : 5mA
Входная емкость (Cies) @ Vce : 97nF @ 25V
вход : Standard
NTC Термистор : No
Рабочая Температура : -40°C ~ 150°C
Тип монтажа : Chassis Mount
Пакет / Дело : Module
Комплект поставки устройства : Module

Вы также можете быть заинтересованы в
  • VS-GT175DA120U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 288A 1087W SOT-227.

  • VS-CPV363M4KPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    MOD IGBT 3PHASE INV 600V SIP.

  • VS-GT100NA120UX

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 134A 463W SOT-227.

  • VS-GT100LA120UX

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 134A 463W SOT-227.

  • VS-GT100DA60U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 600V 184A 577W SOT-227.

  • VS-GT100DA120U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 258A 893W SOT-227.