Infineon Technologies - FS900R08A2P2B32BOSA1

KEY Part #: K6532653

[1094шт сток]


    номер части:
    FS900R08A2P2B32BOSA1
    производитель:
    Infineon Technologies
    Подробное описание:
    MOD HYBRID PACK2 DRIVE HYBRID2-1.
    Стандартное время изготовления производителя:
    В наличии
    Срок годности:
    Один год
    Чип от:
    Гонконг
    RoHS:
    Способ оплаты:
    Способ отгрузки:
    Семейные Категории:
    KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Диоды - РФ, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Транзисторы - IGBTs - Массивы, Транзисторы - IGBT - Модули, Транзисторы - Программируемый однопереход, Тиристоры - DIAC, SIDAC and Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра ...
    Конкурентное преимущество:
    We specialize in Infineon Technologies FS900R08A2P2B32BOSA1 electronic components. FS900R08A2P2B32BOSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FS900R08A2P2B32BOSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    FS900R08A2P2B32BOSA1 Атрибуты продукта

    номер части : FS900R08A2P2B32BOSA1
    производитель : Infineon Technologies
    Описание : MOD HYBRID PACK2 DRIVE HYBRID2-1
    Серии : *
    Состояние детали : Discontinued at Digi-Key
    Тип IGBT : -
    конфигурация : -
    Напряжение - пробой коллектора эмиттера (макс.) : -
    Ток - Коллектор (Ic) (Макс) : -
    Мощность - Макс : -
    Vce (вкл) (Макс) @ Vge, Ic : -
    Ток - отсечка коллектора (макс.) : -
    Входная емкость (Cies) @ Vce : -
    вход : -
    NTC Термистор : -
    Рабочая Температура : -
    Тип монтажа : -
    Пакет / Дело : -
    Комплект поставки устройства : -

    Вы также можете быть заинтересованы в
    • VS-ETF150Y65N

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      IGBT 650V 150A EMIPAK-2B.

    • CPV363M4K

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      IGBT SIP MODULE 600V 6A IMS-2.

    • CPV362M4K

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      IGBT SIP MODULE 600V 31 IMS-2.

    • CPV362M4U

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      IGBT SIP MODULE 600V 3.9A IMS-2.

    • CPV363M4U

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      IGBT SIP MODULE 600V 6.8A IMS-2.

    • A2C25S12M3-F

      STMicroelectronics

      IGBT TRENCH 1200V 25A ACEPACK2.