Vishay Semiconductor Diodes Division - CPV363M4U

KEY Part #: K6532711

CPV363M4U Цены (доллары США) [2990шт сток]

  • 1 pcs$14.48699
  • 160 pcs$13.79713

номер части:
CPV363M4U
производитель:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Подробное описание:
IGBT SIP MODULE 600V 6.8A IMS-2.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - IGBTs - Массивы, Диоды - Выпрямители - Массивы, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Модули питания драйверов, Диоды - стабилитроны - массивы, Тиристоры - СКВ and Тиристоры - СКВ - Модули ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division CPV363M4U electronic components. CPV363M4U can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for CPV363M4U, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

CPV363M4U Атрибуты продукта

номер части : CPV363M4U
производитель : Vishay Semiconductor Diodes Division
Описание : IGBT SIP MODULE 600V 6.8A IMS-2
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип IGBT : -
конфигурация : Three Phase Inverter
Напряжение - пробой коллектора эмиттера (макс.) : 600V
Ток - Коллектор (Ic) (Макс) : 13A
Мощность - Макс : 36W
Vce (вкл) (Макс) @ Vge, Ic : 2V @ 15V, 13A
Ток - отсечка коллектора (макс.) : 250µA
Входная емкость (Cies) @ Vce : 1.1nF @ 30V
вход : Standard
NTC Термистор : No
Рабочая Температура : -40°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Пакет / Дело : 19-SIP (13 Leads), IMS-2
Комплект поставки устройства : IMS-2

Вы также можете быть заинтересованы в
  • CPV363M4K

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 6A IMS-2.

  • CPV362M4K

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 31 IMS-2.

  • CPV362M4U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 3.9A IMS-2.

  • CPV363M4U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 6.8A IMS-2.

  • A2C25S12M3-F

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 25A ACEPACK2.

  • A2C35S12M3-F

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 35A ACEPACK2.