Infineon Technologies - FS50R07U1E4BPSA1

KEY Part #: K6532677

[1087шт сток]


    номер части:
    FS50R07U1E4BPSA1
    производитель:
    Infineon Technologies
    Подробное описание:
    MOD IGBT LOW PWR SMART1-1.
    Стандартное время изготовления производителя:
    В наличии
    Срок годности:
    Один год
    Чип от:
    Гонконг
    RoHS:
    Способ оплаты:
    Способ отгрузки:
    Семейные Категории:
    KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Транзисторы - JFETs, Диоды - стабилитроны - массивы, Транзисторы - IGBTs - Массивы, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Транзисторы специального назначения, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра and Диоды - РФ ...
    Конкурентное преимущество:
    We specialize in Infineon Technologies FS50R07U1E4BPSA1 electronic components. FS50R07U1E4BPSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FS50R07U1E4BPSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    FS50R07U1E4BPSA1 Атрибуты продукта

    номер части : FS50R07U1E4BPSA1
    производитель : Infineon Technologies
    Описание : MOD IGBT LOW PWR SMART1-1
    Серии : -
    Состояние детали : Obsolete
    Тип IGBT : Trench Field Stop
    конфигурация : Full Bridge Inverter
    Напряжение - пробой коллектора эмиттера (макс.) : 650V
    Ток - Коллектор (Ic) (Макс) : 75A
    Мощность - Макс : 230W
    Vce (вкл) (Макс) @ Vge, Ic : 1.95V @ 15V, 50A
    Ток - отсечка коллектора (макс.) : 1mA
    Входная емкость (Cies) @ Vce : 95pF @ 25V
    вход : Standard
    NTC Термистор : Yes
    Рабочая Температура : -40°C ~ 125°C
    Тип монтажа : Chassis Mount
    Пакет / Дело : Module
    Комплект поставки устройства : Module

    Вы также можете быть заинтересованы в
    • VS-ETF150Y65N

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      IGBT 650V 150A EMIPAK-2B.

    • CPV363M4K

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      IGBT SIP MODULE 600V 6A IMS-2.

    • CPV362M4K

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      IGBT SIP MODULE 600V 31 IMS-2.

    • CPV362M4U

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      IGBT SIP MODULE 600V 3.9A IMS-2.

    • CPV363M4U

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      IGBT SIP MODULE 600V 6.8A IMS-2.

    • A2C25S12M3-F

      STMicroelectronics

      IGBT TRENCH 1200V 25A ACEPACK2.