STMicroelectronics - A2C35S12M3-F

KEY Part #: K6532679

A2C35S12M3-F Цены (доллары США) [1702шт сток]

  • 1 pcs$25.44444

номер части:
A2C35S12M3-F
производитель:
STMicroelectronics
Подробное описание:
IGBT TRENCH 1200V 35A ACEPACK2.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - Выпрямители - Одиночные, Тиристоры - СКВ - Модули, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Тиристоры - СКВ, Диоды - мостовые выпрямители, Модули питания драйверов, Диоды - стабилитроны - одинарные and Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in STMicroelectronics A2C35S12M3-F electronic components. A2C35S12M3-F can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for A2C35S12M3-F, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

A2C35S12M3-F Атрибуты продукта

номер части : A2C35S12M3-F
производитель : STMicroelectronics
Описание : IGBT TRENCH 1200V 35A ACEPACK2
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип IGBT : Trench Field Stop
конфигурация : Three Phase Inverter with Brake
Напряжение - пробой коллектора эмиттера (макс.) : 1200V
Ток - Коллектор (Ic) (Макс) : 35A
Мощность - Макс : 250W
Vce (вкл) (Макс) @ Vge, Ic : 2.45V @ 15V, 35A
Ток - отсечка коллектора (макс.) : 100µA
Входная емкость (Cies) @ Vce : 2154pF @ 25V
вход : Three Phase Bridge Rectifier
NTC Термистор : Yes
Рабочая Температура : -40°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Chassis Mount
Пакет / Дело : Module
Комплект поставки устройства : ACEPACK™ 2

Вы также можете быть заинтересованы в
  • CPV363M4K

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 6A IMS-2.

  • CPV362M4K

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 31 IMS-2.

  • CPV362M4U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 3.9A IMS-2.

  • CPV363M4U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 6.8A IMS-2.

  • A2C25S12M3-F

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 25A ACEPACK2.

  • A2C35S12M3-F

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 35A ACEPACK2.