производитель :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Описание :
IGBT WARP 600V 114A MTP
Состояние детали :
Obsolete
конфигурация :
Half Bridge
Напряжение - пробой коллектора эмиттера (макс.) :
600V
Ток - Коллектор (Ic) (Макс) :
114A
Vce (вкл) (Макс) @ Vge, Ic :
3.2V @ 15V, 100A
Ток - отсечка коллектора (макс.) :
400µA
Входная емкость (Cies) @ Vce :
7.1nF @ 30V
Рабочая Температура :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа :
Chassis Mount
Пакет / Дело :
12-MTP Module
Комплект поставки устройства :
12-MTP