Infineon Technologies - FF225R12MS4BOSA1

KEY Part #: K6534407

FF225R12MS4BOSA1 Цены (доллары США) [658шт сток]

  • 1 pcs$70.55218

номер части:
FF225R12MS4BOSA1
производитель:
Infineon Technologies
Подробное описание:
IGBT MODULE VCES 1200V 225A.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Тиристоры - СКВ - Модули, Диоды - стабилитроны - массивы, Тиристоры - СКВ, Диоды - мостовые выпрямители, Транзисторы - IGBT - Single, Диоды - стабилитроны - одинарные, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы) and Тиристоры - DIAC, SIDAC ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Infineon Technologies FF225R12MS4BOSA1 electronic components. FF225R12MS4BOSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FF225R12MS4BOSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FF225R12MS4BOSA1 Атрибуты продукта

номер части : FF225R12MS4BOSA1
производитель : Infineon Technologies
Описание : IGBT MODULE VCES 1200V 225A
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип IGBT : -
конфигурация : 2 Independent
Напряжение - пробой коллектора эмиттера (макс.) : 1200V
Ток - Коллектор (Ic) (Макс) : 275A
Мощность - Макс : 1450W
Vce (вкл) (Макс) @ Vge, Ic : 3.7V @ 15V, 225A
Ток - отсечка коллектора (макс.) : 5mA
Входная емкость (Cies) @ Vce : 15nF @ 25V
вход : Standard
NTC Термистор : Yes
Рабочая Температура : -40°C ~ 125°C
Тип монтажа : Chassis Mount
Пакет / Дело : Module
Комплект поставки устройства : Module

Вы также можете быть заинтересованы в
  • GA400TD25S

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT FAST 250V 400A INT-A-PAK.

  • CPV364M4F

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 15A IMS-2.

  • CPV363M4F

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 9A IMS-2.

  • GA200SA60U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT UFAST 600V 100A SOT227.

  • GA200SA60S

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT STD 600V 100A SOT227.

  • STGE50NB60HD

    STMicroelectronics

    IGBT N-CHAN 600V 50A ISOTOP.