Infineon Technologies - IFS150V12PT4BOSA1

KEY Part #: K6533715

IFS150V12PT4BOSA1 Цены (доллары США) [205шт сток]

  • 1 pcs$224.33996

номер части:
IFS150V12PT4BOSA1
производитель:
Infineon Technologies
Подробное описание:
MODULE IPM MIPAQ-3.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Модули питания драйверов, Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Тиристоры - СКВ, Диоды - РФ, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва and Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Infineon Technologies IFS150V12PT4BOSA1 electronic components. IFS150V12PT4BOSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IFS150V12PT4BOSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IFS150V12PT4BOSA1 Атрибуты продукта

номер части : IFS150V12PT4BOSA1
производитель : Infineon Technologies
Описание : MODULE IPM MIPAQ-3
Серии : -
Состояние детали : Not For New Designs
Тип IGBT : -
конфигурация : Three Phase Inverter
Напряжение - пробой коллектора эмиттера (макс.) : 1200V
Ток - Коллектор (Ic) (Макс) : 150A
Мощность - Макс : -
Vce (вкл) (Макс) @ Vge, Ic : 2.15V @ 15V, 150A
Ток - отсечка коллектора (макс.) : -
Входная емкость (Cies) @ Vce : -
вход : Standard
NTC Термистор : Yes
Рабочая Температура : -40°C ~ 65°C
Тип монтажа : Chassis Mount
Пакет / Дело : Module
Комплект поставки устройства : Module

Вы также можете быть заинтересованы в
  • VS-CPV363M4KPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    MOD IGBT 3PHASE INV 600V SIP.

  • VS-GB75SA120UP

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    MODULE IGBT SOT-227.

  • VS-GB70NA60UF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 600V 111A 447W SOT-227.

  • VS-GB75DA120UP

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    MODULE IGBT SOT-227.

  • VS-GB70LA60UF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 600V 111A 447W SOT-227.

  • VS-GB50LA120UX

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 84A 431W SOT-227.