Infineon Technologies - BSM200GB120DLCHOSA1

KEY Part #: K6534215

BSM200GB120DLCHOSA1 Цены (доллары США) [531шт сток]

  • 1 pcs$87.45798

номер части:
BSM200GB120DLCHOSA1
производитель:
Infineon Technologies
Подробное описание:
IGBT 2 MED POWER 62MM-1.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - мостовые выпрямители, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Тиристоры - DIAC, SIDAC, Диоды - Выпрямители - Массивы, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис and Транзисторы - Программируемый однопереход ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Infineon Technologies BSM200GB120DLCHOSA1 electronic components. BSM200GB120DLCHOSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSM200GB120DLCHOSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSM200GB120DLCHOSA1 Атрибуты продукта

номер части : BSM200GB120DLCHOSA1
производитель : Infineon Technologies
Описание : IGBT 2 MED POWER 62MM-1
Серии : -
Состояние детали : Not For New Designs
Тип IGBT : -
конфигурация : Half Bridge
Напряжение - пробой коллектора эмиттера (макс.) : 1200V
Ток - Коллектор (Ic) (Макс) : 420A
Мощность - Макс : 1550W
Vce (вкл) (Макс) @ Vge, Ic : 2.6V @ 15V, 200A
Ток - отсечка коллектора (макс.) : 5mA
Входная емкость (Cies) @ Vce : 13nF @ 25V
вход : Standard
NTC Термистор : No
Рабочая Температура : -40°C ~ 125°C
Тип монтажа : Chassis Mount
Пакет / Дело : Module
Комплект поставки устройства : Module