Microsemi Corporation - APTCV90TL12T3G

KEY Part #: K6533757

[727шт сток]


    номер части:
    APTCV90TL12T3G
    производитель:
    Microsemi Corporation
    Подробное описание:
    POWER MODULE IGBT QUAD 900V SP3.
    Стандартное время изготовления производителя:
    В наличии
    Срок годности:
    Один год
    Чип от:
    Гонконг
    RoHS:
    Способ оплаты:
    Способ отгрузки:
    Семейные Категории:
    KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - IGBT - Модули, Транзисторы специального назначения, Транзисторы - Программируемый однопереход, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - IGBTs - Массивы, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы and Транзисторы - JFETs ...
    Конкурентное преимущество:
    We specialize in Microsemi Corporation APTCV90TL12T3G electronic components. APTCV90TL12T3G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APTCV90TL12T3G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    APTCV90TL12T3G Атрибуты продукта

    номер части : APTCV90TL12T3G
    производитель : Microsemi Corporation
    Описание : POWER MODULE IGBT QUAD 900V SP3
    Серии : -
    Состояние детали : Obsolete
    Тип IGBT : Trench Field Stop
    конфигурация : Three Level Inverter - IGBT, FET
    Напряжение - пробой коллектора эмиттера (макс.) : 1200V
    Ток - Коллектор (Ic) (Макс) : 80A
    Мощность - Макс : 280W
    Vce (вкл) (Макс) @ Vge, Ic : 2.2V @ 15V, 50A
    Ток - отсечка коллектора (макс.) : 1mA
    Входная емкость (Cies) @ Vce : 2.77nF @ 25V
    вход : Standard
    NTC Термистор : Yes
    Рабочая Температура : -40°C ~ 175°C (TJ)
    Тип монтажа : Chassis Mount
    Пакет / Дело : SP3
    Комплект поставки устройства : SP3

    Вы также можете быть заинтересованы в
    • VS-CPV363M4KPBF

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      MOD IGBT 3PHASE INV 600V SIP.

    • VS-GT80DA120U

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      OUTPUT SW MODULES - SOT-227 IG.

    • VS-GT100DA120UF

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      OUTPUT SW MODULES - SOT-227 IG.

    • VS-GA200SA60UP

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      IGBT 600V 200A 500W SOT-227.

    • STGE200N60K

      STMicroelectronics

      IGBT N-CH 150A 600V ISOTOP.

    • STGE50NC60WD

      STMicroelectronics

      IGBT UFAST N-CH 100A 600V ISOTOP.