Infineon Technologies - FS100R07N3E4BOSA1

KEY Part #: K6532819

[1039шт сток]


    номер части:
    FS100R07N3E4BOSA1
    производитель:
    Infineon Technologies
    Подробное описание:
    IGBT MODULE VCES 600V 100A.
    Стандартное время изготовления производителя:
    В наличии
    Срок годности:
    Один год
    Чип от:
    Гонконг
    RoHS:
    Способ оплаты:
    Способ отгрузки:
    Семейные Категории:
    KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Транзисторы - Программируемый однопереход, Диоды - мостовые выпрямители, Транзисторы - IGBT - Модули, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Транзисторы - IGBTs - Массивы, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные and Тиристоры - СКВ ...
    Конкурентное преимущество:
    We specialize in Infineon Technologies FS100R07N3E4BOSA1 electronic components. FS100R07N3E4BOSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FS100R07N3E4BOSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    FS100R07N3E4BOSA1 Атрибуты продукта

    номер части : FS100R07N3E4BOSA1
    производитель : Infineon Technologies
    Описание : IGBT MODULE VCES 600V 100A
    Серии : -
    Состояние детали : Obsolete
    Тип IGBT : Trench Field Stop
    конфигурация : Three Phase Inverter
    Напряжение - пробой коллектора эмиттера (макс.) : 650V
    Ток - Коллектор (Ic) (Макс) : 100A
    Мощность - Макс : 335W
    Vce (вкл) (Макс) @ Vge, Ic : 1.95V @ 15V, 100A
    Ток - отсечка коллектора (макс.) : 1mA
    Входная емкость (Cies) @ Vce : 6.2nF @ 25V
    вход : Standard
    NTC Термистор : Yes
    Рабочая Температура : -40°C ~ 150°C
    Тип монтажа : Chassis Mount
    Пакет / Дело : Module
    Комплект поставки устройства : Module

    Вы также можете быть заинтересованы в
    • VS-GB90SA120U

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      TRANSISTOR INSLTED GATE BIPOLAR.

    • VS-GB90DA60U

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      TRANSISTOR INSLTED GATE BIPOLAR.

    • VS-GB75NA60UF

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      IGBT 600V 70A HS CHOPPER SOT-227. Rectifiers Output & SW Modules SOT-227 IGBT

    • VS-GB75LA60UF

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      IGBT 600V 70A LS CHOPPER SOT-227. Rectifiers Output & SW Modules SOT-227 IGBT

    • VS-GT140DA60U

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      IGBT 600V 200A 652W SOT-227.

    • VS-GT120DA65U

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      OUTPUT SW MODULES - SOT-227 IG.